8吋集成电路硅片衬底粗抛光液

集成电路硅片衬底氧化物抛光液是由硅溶胶及特种功能性添加剂复配而成的氧化物CMP抛光液。该抛光液分散性好、粒度均匀、抛光速率稳定，具有良好的分散、润滑、易清洗等特点，能快速去除集成电路硅片衬底表面氧化层，该产品适用于集成电路硅片衬底氧化层的CMP加工工艺中。

8吋集成电路硅片衬底精抛光液

8吋集成电路硅片衬底精抛光液是由硅溶胶及特种功能性添加剂复配而成的CMP抛光液。该抛光液分散性好、粒度均匀、抛光速率稳定、金属离子含量低，具有良好的分散、润滑、易清洗等特点，能有效对粗抛后的硅片衬底进行精修以达到高平坦度、极低缺陷的镜面效果，该抛光液适用于8吋集成电路硅片衬底CMP精抛加工工艺中。

集成电路硅片衬底氧化物抛光液

集成电路硅片衬底氧化物抛光液是由硅溶胶及特种功能性添加剂复配而成的氧化物CMP抛光液。该抛光液分散性好、粒度均匀、抛光速率稳定，具有良好的分散、润滑、易清洗等特点，能快速去除集成电路硅片衬底表面氧化层，该产品适用于集成电路硅片衬底氧化层的CMP加工工艺中。

半导体硅片切割液

半导体硅片切割液是由多种进口特种功能性添加剂复配而成的高性能超浓缩产品。该切割液水溶性好，润滑性能优异，具有良好的抗泡性能，储存稳定，且能迅速带走多线切割加工时产生的热量，有利于提高半导体硅片的表面平整度和清洁度。适用于半导体硅片多线切割加工工艺中。

晶圆切割液

该切割液具有优异的表面张力、分散性、润滑性，能迅速带走切割加工时产生的热量，可以将包裹的颗粒碎屑悬浮在水中，快速随水流带走，同时具有优异的抗氧化性，可以在芯片表面形成一层保护膜，减少焊端的腐蚀

红外光学抛光液

红外光学硅、锗抛光液是为满足红外光学系统对硅、锗材料表面高精度抛光需求而设计的专用抛光液。本解决方案致力于提供高效、稳定、高精度的抛光液产品，以满足红外光学领域对硅、锗材料抛光的高标准要求。 红外光学硅、锗抛光主要分3个抛光工序，铣磨、粗抛、精抛。红外光学抛光液主营产品分为氧化铝抛光液、纳米级二氧化硅抛光液。